极端条件下稳定、可靠半导体器件具有重要的战略意义。目前实用化的硅 Si、锗Ge、砷化镓 GaAs 半导体器件，其最高工作温度限于 200 oC 以内，硅基的本征载流子浓度随着温度的升高而不断升高，掺杂载流子浓度受到抵制，在半导体的温度载流子效应和结温效应共同作用下，到 150~200 oC 时硅基是完全导电的状态，器件半导体性能崩溃。其中，半导体材料的禁带宽度决定了器件安全工作的最高温度，同时，器件的抗辐射能力也和禁带宽度有关，禁带宽度越宽，抗辐射能力越强。
本项目在异质结器件的设计上选用 p 型金刚石和 WO3 构成器件的核心部分，金刚石和 WO3 的微观结构及电子运输性能上都具有较大的可调节性，并通过硼原子或其他材料的掺杂，改变其载流子浓度，调节禁带宽度 ；并将该结构制备成高温半导体器件，检验其高温下的电子传输性能，构建高温电子器件。该成果在石油和天然气勘探、地热监测、工业引擎、航天、航空、核能等领域具有广泛应用前景。