本发明是一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法，利用石墨烯量子点表面效应的高化学活性横向诱导红荧烯晶体生长的方法。在SiO₂衬底（3）制备石墨烯量子点（1）诱导层，红荧烯分子（2）在石墨烯量子点（1）诱导下沿石墨烯量子点（1）边缘生长。其中石墨烯量子点（1）采用溶剂热法将改进Hummers法制备的氧化石墨烯置于220ºC高温高压反应釜中进行切割，再将石墨烯量子（1）点溶于乙醇中旋涂于SiO₂衬底上进行烘干，石墨烯量子点（1）呈点状分布，接着红荧烯分子（2）沿着石墨烯量子点（1）边缘横向生长，逐渐铺满整个衬底，形成有序、均匀的红荧烯薄膜。该方法利于实现红荧烯的结晶性生长形成高有序的薄膜。