本发明是一种红荧烯薄膜自组装有序图案化生长制备的方法，即在真空氛围中，在SiO₂层之上沉积红荧烯层，通过沉积、停歇的多次循环，实现自组装排列的孔状图案化红荧烯薄膜，红荧烯聚集处为半导体的导电沟道部分，而红荧烯未聚集的孔洞处是不导电部分。从而实现免去光刻的自组装图案化生长，达到有序、可控图案化生长的目的。